2N4150 - Microchip Technology

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-2N4150
Hersteller Teil #: 2N4150
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-5-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
TO-5-3
Mounting Type  
Through Hole
Supplier Device Package  
TO-5AA
RoHS  
N
Mounting Styles  
Through Hole
Transistor Polarity  
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
70 V
Emitter- Base Voltage VEBO  
10 V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
600 mV
Maximum DC Collector Current  
10 A
Pd - Power Dissipation  
1 W
Gain Bandwidth Product fT  
-
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Maximum Operating Temperature  
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min  
50 at 1 A, 5 VDC
DC Current Gain hFE Max  
200 at 1 A, 5 VDC
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Unit Weight  
0.164906 oz
Package  
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)  
10 A
Base Product Number  
2N4150
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Packaging  
Bulk
Operating Temperature  
-65°C ~ 200°C (TJ)
Series  
-
Configuration  
Single
Power - Max  
1 W
Transistor Type  
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
50 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)  
10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
2.5V @ 1A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
70 V
Frequency - Transition  
-
Collector Base Voltage (VCBO)  
100 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
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Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-5-3
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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
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