2N3740A - Microchip Technology

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Kynix Teil #: KY13-2N3740A
Hersteller Teil #: 2N3740A
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-66-2
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
TO-66-2
Mounting Type  
Through Hole
Surface Mount  
NO
Supplier Device Package  
TO-66 (TO-213AA)
Number of Terminals  
2
Transistor Element Material  
SILICON
RoHS  
N
Mounting Styles  
Through Hole
Transistor Polarity  
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO  
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
600 mV
Maximum DC Collector Current  
4 A
Pd - Power Dissipation  
25 W
Gain Bandwidth Product fT  
3 MHz
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Maximum Operating Temperature  
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min  
30 at 250mA, 1 VDC
DC Current Gain hFE Max  
100 at 250 mA, 1 VDC
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Package  
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)  
10 A
Base Product Number  
2N3740
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Package Style  
FLANGE MOUNT
Package Body Material  
METAL
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
200 °C
Rohs Code  
No
Transition Frequency-Nom (fT)  
3 MHz
Manufacturer Part Number  
2N3740A
Package Shape  
ROUND
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
MICROSEMI CORP
Risk Rank  
5.03
Packaging  
Tray
Operating Temperature  
-65°C ~ 200°C (TJ)
Series  
-
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
Additional Feature  
HIGH RELIABILITY
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
PIN/PEG
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
not_compliant
JESD-30 Code  
O-MBFM-P2
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
Single
Power - Max  
25 W
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
PNP
Transistor Type  
PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
40 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max)  
1µA
JEDEC-95 Code  
TO-66
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
600mV @ 125mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
60 V
Frequency - Transition  
3MHz
Collector Base Voltage (VCBO)  
60 V
Power Dissipation-Max (Abs)  
25 W
Collector Current-Max (IC)  
4 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
10
Continuous Collector Current  
4 A
Collector-Emitter Voltage-Max  
60 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-66-2
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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