2N5665 - Microchip Technology

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-2N5665
Hersteller Teil #: 2N5665
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-213AA, TO-66-2
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-213AA, TO-66-2
Surface Mount  
NO
Supplier Device Package  
TO-66 (TO-213AA)
Number of Terminals  
2
Transistor Element Material  
SILICON
RoHS  
N
Mounting Styles  
Through Hole
Transistor Polarity  
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
300 V
Emitter- Base Voltage VEBO  
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
400 mV
Maximum DC Collector Current  
5 A
Pd - Power Dissipation  
2.5 W
Gain Bandwidth Product fT  
-
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Maximum Operating Temperature  
+ 200 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Unit Weight  
0.652216 oz
Package  
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)  
5 A
Base Product Number  
2N5665
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Package Description  
TO-66, 2 PIN
Package Style  
FLANGE MOUNT
Package Body Material  
METAL
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
200 °C
Rohs Code  
No
Transition Frequency-Nom (fT)  
20 MHz
Manufacturer Part Number  
2N5665
Package Shape  
ROUND
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
MICROSEMI CORP
Risk Rank  
5.09
Part Package Code  
TO-66
Packaging  
Tray
Operating Temperature  
-65°C ~ 200°C (TJ)
Series  
-
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
PIN/PEG
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
not_compliant
Pin Count  
2
JESD-30 Code  
O-MBFM-P2
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
Single
Power - Max  
2.5 W
Polarity/Channel Type  
NPN
Transistor Type  
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
25 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)  
200nA
JEDEC-95 Code  
TO-213AA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
1V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
300 V
Frequency - Transition  
-
Collector Base Voltage (VCBO)  
400 V
Power Dissipation-Max (Abs)  
30 W
Collector Current-Max (IC)  
5 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
10
Collector-Emitter Voltage-Max  
300 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-213AA, TO-66-2
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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