2N3419 - Microchip Technology

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Kynix Teil #: KY13-2N3419
Hersteller Teil #: 2N3419
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-5-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
Production (Last Updated: 2 months ago)
Package / Case  
TO-5-3
Mounting Type  
Through Hole
Mount  
Through Hole
Surface Mount  
NO
Number of Pins  
3
Supplier Device Package  
TO-5
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
DC Current Gain hFE Max  
60 at 1 A, 2 V
DC Collector/Base Gain hfe Min  
20 at 1 A, 2 V
Maximum Operating Temperature  
+ 200 C
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Gain Bandwidth Product fT  
-
Pd - Power Dissipation  
1 W
Maximum DC Collector Current  
3 A
Collector-Emitter Saturation Voltage  
500 mV
Emitter- Base Voltage VEBO  
8 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
80 V
Transistor Polarity  
NPN
Mounting Styles  
Through Hole
RoHS  
N
Package  
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)  
3 A
Base Product Number  
2N3419
Product Status  
Active
Mfr  
Microchip Technology
Power Dissipation (Max)  
1 W
Package Description  
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Package Style  
CYLINDRICAL
Package Body Material  
METAL
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Rohs Code  
No
Manufacturer Part Number  
2N3419
Turn-on Time-Max (ton)  
300 ns
Package Shape  
ROUND
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
MICROSEMI CORP
Turn-off Time-Max (toff)  
1300 ns
Risk Rank  
5.12
Packaging  
Bulk
Operating Temperature  
-65°C ~ 200°C (TJ)
Series  
-
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
Max Operating Temperature  
200 °C
Min Operating Temperature  
-65 °C
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
WIRE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
not_compliant
JESD-30 Code  
O-MBCY-W3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
Single
Power - Max  
1 W
Polarity/Channel Type  
NPN
Transistor Type  
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
80 V
Max Collector Current  
3 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
20 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max)  
5µA
JEDEC-95 Code  
TO-5
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
80 V
Frequency - Transition  
-
Collector Base Voltage (VCBO)  
125 V
Collector Current-Max (IC)  
3 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
10
Collector-Emitter Voltage-Max  
80 V
Radiation Hardening  
No
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-5-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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