2N6315 - Microchip Technology

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Kynix Teil #: KY13-2N6315
Hersteller Teil #: 2N6315
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-66-2
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
TO-66-2
Mounting Type  
Through Hole
Surface Mount  
NO
Number of Pins  
3
Supplier Device Package  
TO-66 (TO-213AA)
Number of Terminals  
2
Transistor Element Material  
SILICON
RoHS  
N
Mounting Styles  
Through Hole
Transistor Polarity  
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO  
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
2 V
Maximum DC Collector Current  
7 A
Pd - Power Dissipation  
90 W
Gain Bandwidth Product fT  
-
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Maximum Operating Temperature  
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min  
20 at 2.5 A, 4 V
DC Current Gain hFE Max  
100 at 2.5 A, 4 V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Unit Weight  
0.723969 oz
Package  
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)  
7 A
Base Product Number  
2N6315
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Package Description  
METAL CAN-3
Package Style  
FLANGE MOUNT
Package Body Material  
METAL
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Rohs Code  
No
Manufacturer Part Number  
2N6315
Package Shape  
ROUND
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
MICROSEMI CORP
Risk Rank  
1.38
Part Package Code  
TO-66
Packaging  
Tray
Operating Temperature  
-65°C ~ 200°C (TJ)
Series  
-
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
TIN LEAD
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
PIN/PEG
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
O-MBFM-P2
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
Single
Power - Max  
90 W
Polarity/Channel Type  
NPN
Transistor Type  
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
35 @ 500mA, 4V
Current - Collector Cutoff (Max)  
500µA
JEDEC-95 Code  
TO-66
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
2V @ 1.75A, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
60 V
Frequency - Transition  
-
Collector Base Voltage (VCBO)  
80 V
Collector Current-Max (IC)  
7 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
20
Collector-Emitter Voltage-Max  
60 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-66-2
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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