2N1486 - Microchip Technology

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Kynix Teil #: KY13-2N1486
Hersteller Teil #: 2N1486
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-8-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
Production (Last Updated: 2 months ago)
Package / Case  
TO-8-3
Mounting Type  
Through Hole
Mount  
Through Hole
Surface Mount  
NO
Number of Pins  
3
Supplier Device Package  
TO-8
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
RoHS  
N
Mounting Styles  
Through Hole
Transistor Polarity  
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
55 V
Emitter- Base Voltage VEBO  
12 V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
750 mV
Maximum DC Collector Current  
3 A
Pd - Power Dissipation  
1.75 W
Gain Bandwidth Product fT  
-
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Maximum Operating Temperature  
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min  
35
DC Current Gain hFE Max  
100
Unit Weight  
1.661227 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Package  
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)  
3 A
Base Product Number  
2N1486
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Power Dissipation (Max)  
1.75 W
Package Style  
CYLINDRICAL
Package Body Material  
METAL
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
200 °C
Rohs Code  
No
Manufacturer Part Number  
2N1486
Package Shape  
ROUND
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
MICROSEMI CORP
Risk Rank  
1.62
Packaging  
Tray
Operating Temperature  
-65°C ~ 200°C (TJ)
Series  
-
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
TIN LEAD
Max Operating Temperature  
200 °C
Min Operating Temperature  
-65 °C
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
WIRE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
O-MBCY-W3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
Single
Power - Max  
1.75 W
Polarity/Channel Type  
NPN
Transistor Type  
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
55 V
Max Collector Current  
3 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
35 @ 750mA, 4V
Current - Collector Cutoff (Max)  
15µA
JEDEC-95 Code  
TO-8
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
750mV @ 40mA, 750A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
55 V
Frequency - Transition  
-
Collector Base Voltage (VCBO)  
100 V
Collector Current-Max (IC)  
3 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
35
Collector-Emitter Voltage-Max  
55 V
Radiation Hardening  
No
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-8-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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