2N3507 - Microchip Technology

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Kynix Teil #: KY13-2N3507
Hersteller Teil #: 2N3507
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-39-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
TO-39-3
Mounting Type  
Through Hole
Surface Mount  
NO
Supplier Device Package  
TO-39
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
RoHS  
N
Mounting Styles  
Through Hole
Transistor Polarity  
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO  
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
500 mV
Maximum DC Collector Current  
3 A
Pd - Power Dissipation  
1 W
Gain Bandwidth Product fT  
-
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Maximum Operating Temperature  
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min  
35 at 500mA, 1 V
DC Current Gain hFE Max  
175 at 500 mA, 1 V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Package  
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)  
3 A
Base Product Number  
2N3507
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Package Description  
HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
Package Style  
CYLINDRICAL
Package Body Material  
METAL
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
200 °C
Rohs Code  
No
Transition Frequency-Nom (fT)  
60 MHz
Manufacturer Part Number  
2N3507
Turn-on Time-Max (ton)  
45 ns
Package Shape  
ROUND
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
MICROSEMI CORP
Turn-off Time-Max (toff)  
90 ns
Risk Rank  
1.31
Part Package Code  
BCY
Packaging  
Bulk
Operating Temperature  
-65°C ~ 200°C (TJ)
Series  
-
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
TIN LEAD
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
WIRE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
Pin Count  
2
JESD-30 Code  
O-MBCY-W3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
Single
Power Dissipation  
5
Power - Max  
1 W
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
NPN
Transistor Type  
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
35 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max)  
1µA
JEDEC-95 Code  
TO-39
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
1.5V @ 250mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
50 V
Frequency - Transition  
-
Collector Base Voltage (VCBO)  
80 V
Power Dissipation-Max (Abs)  
5 W
Collector Current-Max (IC)  
3 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
20
Continuous Collector Current  
3
Collector-Emitter Voltage-Max  
50 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-39-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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