2N3868 - Microchip Technology

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Kynix Teil #: KY13-2N3868
Hersteller Teil #: 2N3868
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-5-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
TO-5-3
Mounting Type  
Through Hole
Surface Mount  
NO
Supplier Device Package  
TO-5
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
RoHS  
N
Mounting Styles  
Through Hole
Transistor Polarity  
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO  
4 V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
500 mV
Maximum DC Collector Current  
3 mA
Pd - Power Dissipation  
1 W
Gain Bandwidth Product fT  
-
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Maximum Operating Temperature  
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min  
30 at 1.5 A, 2 VDC
DC Current Gain hFE Max  
150 at 1.5 A, 2 VDC
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Unit Weight  
0.652216 oz
Package  
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)  
3 mA
Base Product Number  
2N3868
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Package Description  
TO-5, 3 PIN
Package Style  
CYLINDRICAL
Package Body Material  
METAL
Operating Temperature-Min  
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
200 °C
Rohs Code  
No
Transition Frequency-Nom (fT)  
60 MHz
Manufacturer Part Number  
2N3868
Turn-on Time-Max (ton)  
100 ns
Package Shape  
ROUND
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
MICROSEMI CORP
Turn-off Time-Max (toff)  
600 ns
Risk Rank  
1.46
Packaging  
Bulk
Operating Temperature  
-65°C ~ 200°C (TJ)
Series  
-
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
Additional Feature  
HIGH RELIABILITY
HTS Code  
8541.29.00.75
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
WIRE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
compliant
JESD-30 Code  
O-MBCY-W3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
Single
Power - Max  
1 W
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
PNP
Transistor Type  
PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
30 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max)  
100µA (ICBO)
JEDEC-95 Code  
TO-5
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
1.5V @ 250mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
60 V
Frequency - Transition  
-
Collector Base Voltage (VCBO)  
60 V
Power Dissipation-Max (Abs)  
1 W
Collector Current-Max (IC)  
3 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
20
Continuous Collector Current  
3
Collector-Emitter Voltage-Max  
60 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-5-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 133 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 16.10506
Menge. Stückpreis
1+: $16.10506
10+: $15.19345
100+: $14.33345
500+: $13.52212
1000+: $12.75672
Zwischensumme: $16.10506

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