2N3763L - Microchip Technology

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Kynix Teil #: KY13-2N3763L
Hersteller Teil #: 2N3763L
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-5-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
TO-5-3
Mounting Type  
Through Hole
Surface Mount  
NO
Supplier Device Package  
TO-5AA
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
RoHS  
N
Mounting Styles  
Through Hole
Transistor Polarity  
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO  
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
900 mV
Maximum DC Collector Current  
1.5 A
Pd - Power Dissipation  
500 mW
Minimum Operating Temperature  
- 55 C
Maximum Operating Temperature  
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min  
20
DC Current Gain hFE Max  
80
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Package  
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)  
1.5 A
Base Product Number  
2N3763
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Package Description  
TO-5, 3 PIN
Package Style  
CYLINDRICAL
Package Body Material  
METAL
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
175 °C
Rohs Code  
No
Transition Frequency-Nom (fT)  
150 MHz
Manufacturer Part Number  
2N3763L
Turn-on Time-Max (ton)  
43 ns
Package Shape  
ROUND
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
MICROSEMI CORP
Turn-off Time-Max (toff)  
115 ns
Risk Rank  
5.13
Packaging  
Bulk
Operating Temperature  
-55°C ~ 200°C
Series  
-
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
TIN LEAD
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
WIRE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
O-MBCY-W3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
Single
Power - Max  
500 mW
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
PNP
Transistor Type  
PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
20 @ 1.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)  
100nA
JEDEC-95 Code  
TO-5
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
900mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
60 V
Frequency - Transition  
-
Collector Base Voltage (VCBO)  
60 V
Power Dissipation-Max (Abs)  
1 W
Collector Current-Max (IC)  
1.5 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
20
Continuous Collector Current  
1.5 A
Collector-Emitter Voltage-Max  
60 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-5-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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