2N5859 TIN/LEAD - Central Semiconductor
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Kynix Teil #: KY13-2N5859 TIN/LEAD
Hersteller Teil #: 2N5859 TIN/LEAD
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Central Semiconductor
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
Verpackung: TO-39-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
2N5859 TIN/LEAD Datenblatt
2N5859 TIN/LEAD Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case
TO-39-3
RoHS
N
Mounting Styles
Through Hole
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Maximum DC Collector Current
-
Pd - Power Dissipation
1 W
Gain Bandwidth Product fT
250 MHz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
30 at 500 mA, 1 V
DC Current Gain hFE Max
120 at 5090 mA, 1 V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
500
Series
2N5859
Packaging
Bulk
Configuration
Single
Collector Base Voltage (VCBO)
80 V
Continuous Collector Current
2 A
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| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|
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Datenblatt
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