APT45GR65B2DU30 - Microchip Technology
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-APT45GR65B2DU30
Hersteller Teil #: APT45GR65B2DU30
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
APT45GR65B2DU30 Datenblatt
APT45GR65B2DU30 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount
Through Hole
RoHS
Details
Mounting Styles
Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 30 V, + 30 V
Continuous Collector Current at 25 C
118 A
Pd - Power Dissipation
543 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650 V
Packaging
Tube
Max Power Dissipation
543 W
Configuration
Single
Collector Emitter Voltage (VCEO)
2.4 V
Max Collector Current
118 A
Reverse Recovery Time
80 ns
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
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Beschreibung: IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Datenblatt
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