APTGF90A60T1G - Microchip Technology
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-APTGF90A60T1G
Hersteller Teil #: APTGF90A60T1G
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: IGBT Modules Power Module - IGBTView in Development Tools Selector
Verpackung: SP1-12
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
APTGF90A60T1G Datenblatt
APTGF90A60T1G Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case
SP1-12
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SP1
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Continuous Collector Current at 25 C
110 A
Gate-Emitter Leakage Current
150 nA
Pd - Power Dissipation
416 W
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 100 C
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Mounting Styles
Chassis Mount
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
50
Unit Weight
2.821917 oz
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
110 A
Mfr
Microchip Technology
Product Status
Obsolete
Operating Temperature
-
Series
-
Configuration
Half Bridge
Power - Max
416 W
Input
Standard
Current - Collector Cutoff (Max)
250 µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 90A
IGBT Type
NPT
NTC Thermistor
Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce
4.3 nF @ 25 V
Product
IGBT Silicon Modules
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Datenblatt
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