APT50GR120B2 - Microchip Technology
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-APT50GR120B2
Hersteller Teil #: APT50GR120B2
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
APT50GR120B2 Datenblatt
APT50GR120B2 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case
TO-247-3
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.5 V
Continuous Collector Current at 25 C
117 A
Gate-Emitter Leakage Current
250 nA
Pd - Power Dissipation
694 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Mounting Styles
Through Hole
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
0.211644 oz
Test Conditions
600V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Product Status
Active
Mfr
Microchip Technology
Base Product Number
APT50GR120
Current-Collector (Ic) (Max)
117 A
Package
Tube
Packaging
Tube
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration
Single
Input Type
Standard
Power - Max
694 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 15V, 50A
IGBT Type
NPT
Gate Charge
445 nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Td (on/off) @ 25°C
28ns/237ns
Switching Energy
2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
Product
IGBT Silicon Modules
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
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Beschreibung: IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Datenblatt
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