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APT48M80B2 - Microchip Technology

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-APT48M80B2

Hersteller Teil #: APT48M80B2

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Microchip Technology

Beschreibung: MOSFET FG, MOSFET, 800V, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

APT48M80B2 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Package / Case

TO-247-3

Mounting Type

Through Hole

Mount

Through Hole

Supplier Device Package

T-MAX™ [B2]

RoHS

Details

Mounting Styles

Through Hole

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800 V

Id - Continuous Drain Current

49 A

Rds On - Drain-Source Resistance

170 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Qg - Gate Charge

305 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

1.135 kW

Channel Mode

Enhancement

Fall Time

70 ns

Forward Transconductance - Min

43 S

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

Typical Turn-Off Delay Time

230 ns

Typical Turn-On Delay Time

55 ns

Unit Weight

0.211644 oz

Package

Tube

Base Product Number

APT48M80

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

49A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Mfr

Microchip Technology

Power Dissipation (Max)

1135W (Tc)

Product Status

Active

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Number of Elements

Voltage Rating (DC)

800 V

Turn Off Delay Time

230 ns

Packaging

Tube

Operating Temperature

-55°C ~ 150°C (TJ)

Series

POWER MOS 8™

Part Status

Production (Last Updated: 2 months ago)

Max Operating Temperature

150 °C

Min Operating Temperature

-55 °C

Max Power Dissipation

1.135 kW

Current Rating

48 A

Configuration

Single

Number of Channels

1 Channel

Turn On Delay Time

55 ns

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 24A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

9330 pF @ 25 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

305 nC @ 10 V

Rise Time

75 ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

800 V

Vgs (Max)

±30V

Transistor Type

1 N-Channel

Continuous Drain Current (ID)

49 A

Gate to Source Voltage (Vgs)

30 V

Input Capacitance

9.33 nF

FET Feature

Rds On Max

190 mΩ

Radiation Hardening

Lead Free

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

APT48M80B2 Preis
APT48M80B2 Verteilers
APT48M80B2 Hersteller
APT48M80B2 Technische Daten
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET FG, MOSFET, 800V, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 54 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
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