APT18F60B - Microchip Technology

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-APT18F60B
Hersteller Teil #: APT18F60B
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: MOSFET FG, FREDFET, 600V, TO-247View in Development Tools Selector
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
Production (Last Updated: 2 months ago)
Package / Case  
TO-247-3
Mounting Type  
Through Hole
Mount  
Through Hole
Supplier Device Package  
TO-247 [B]
RoHS  
Details
Mounting Styles  
Through Hole
Transistor Polarity  
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage  
600 V
Id - Continuous Drain Current  
19 A
Rds On - Drain-Source Resistance  
310 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage  
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage  
2.5 V
Qg - Gate Charge  
90 nC
Minimum Operating Temperature  
- 55 C
Maximum Operating Temperature  
+ 150 C
Pd - Power Dissipation  
335 W
Channel Mode  
Enhancement
Fall Time  
18 ns
Forward Transconductance - Min  
17 S
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Typical Turn-Off Delay Time  
60 ns
Typical Turn-On Delay Time  
20 ns
Unit Weight  
0.211644 oz
Continuous Drain Current Id  
19
Package  
Tube
Base Product Number  
APT18F60
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Mfr  
Microchip Technology
Power Dissipation (Max)  
335W (Tc)
Product Status  
Active
Number of Elements  
1
Voltage Rating (DC)  
600 V
Turn Off Delay Time  
60 ns
Packaging  
Tube
Operating Temperature  
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series  
-
Max Operating Temperature  
150 °C
Min Operating Temperature  
-55 °C
Max Power Dissipation  
335 W
Current Rating  
18 A
Configuration  
Single
Number of Channels  
1 Channel
Power Dissipation  
335
Turn On Delay Time  
20 ns
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
390mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
3550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
90 nC @ 10 V
Rise Time  
23 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
600 V
Vgs (Max)  
±30V
Transistor Type  
1 N-Channel
Continuous Drain Current (ID)  
19 A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30 V
Input Capacitance  
3.55 nF
Channel Type  
N
FET Feature  
-
Rds On Max  
390 mΩ
Radiation Hardening  
No
Lead Free  
Lead Free
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET FG, FREDFET, 600V, TO-247View in Development Tools Selector
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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