2N5427 - Microchip Technology

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-2N5427
Hersteller Teil #: 2N5427
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-213AA, TO-66-2
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-213AA, TO-66-2
Number of Pins  
3
Supplier Device Package  
TO-66
RoHS  
N
Mounting Styles  
Through Hole
Transistor Polarity  
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO  
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
700 mV
Maximum DC Collector Current  
7 A
Pd - Power Dissipation  
40 W
Gain Bandwidth Product fT  
-
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Maximum Operating Temperature  
+ 200 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Package  
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)  
7 A
Base Product Number  
2N5427
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Packaging  
Tray
Operating Temperature  
-
Series  
-
Max Power Dissipation  
40 W
Configuration  
Single
Power - Max  
40 W
Transistor Type  
PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
80 V
Max Collector Current  
7 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
30 @ 7A, 80V
Current - Collector Cutoff (Max)  
-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
80 V
Frequency - Transition  
-
Collector Base Voltage (VCBO)  
80 V
Radiation Hardening  
No
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-213AA, TO-66-2
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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