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FDB5690 - Fairchild Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDB5690

Hersteller Teil #: FDB5690

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Fairchild Semiconductor

Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

Verpackung: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDB5690 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Supplier Device Package

D2PAK (TO-263)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

32A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Mfr

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

58W (Tc)

Product Status

Obsolete

Operating Temperature

-65°C ~ 175°C (TJ)

Series

PowerTrench®

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1120 pF @ 25 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33 nC @ 10 V

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Vgs (Max)

±20V

FET Feature

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FDB5690 Preis
FDB5690 Verteilers
FDB5690 Hersteller
FDB5690 Technische Daten
FDB5690 PDF
FDB5690 Datenblätter
FDB5690 Bild
FDB5690 Foto
FDB5690 Teil
FDB5690 Lagerbestand
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

Verpackung: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 15178 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

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10+:	$0.00000
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