STGP30H65DFB2 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STGP30H65DFB2
Hersteller Teil #: STGP30H65DFB2
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT 600V 60A 258W TO220AB
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3
Supplier Device Package  
TO-220
Mfr  
STMicroelectronics
Package  
Tube
Product Status  
Active
Current-Collector (Ic) (Max)  
50 A
Test Conditions  
400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Base Product Number  
STGP30
Collector-Emitter Saturation Voltage  
1.65
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1000
Manufacturer  
STMicroelectronics
Brand  
STMicroelectronics
RoHS  
Details
Maximum Gate Emitter Voltage  
- 20 V, + 20 V
Series  
HB2
Operating Temperature  
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging  
Tube
Subcategory  
IGBTs
Power Dissipation  
167
Input Type  
Standard
Power - Max  
167 W
Product Type  
IGBT Transistors
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
650 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
2.1V @ 15V, 30A
Continuous Collector Current  
50
IGBT Type  
Trench Field Stop
Gate Charge  
90 nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
90 A
Td (on/off) @ 25°C  
18.4ns/71ns
Switching Energy  
270μJ (on), 310μJ (off)
Reverse Recovery Time (trr)  
115 ns
Product Category  
IGBT Transistors
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT 600V 60A 258W TO220AB
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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