STGP30H65DFB2 - STMicroelectronics
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Kynix Teil #: KY13-STGP30H65DFB2
Hersteller Teil #: STGP30H65DFB2
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT 600V 60A 258W TO220AB
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STGP30H65DFB2 Datenblatt
STGP30H65DFB2 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220
Mfr
STMicroelectronics
Package
Tube
Product Status
Active
Current-Collector (Ic) (Max)
50 A
Test Conditions
400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Base Product Number
STGP30
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Manufacturer
STMicroelectronics
Brand
STMicroelectronics
RoHS
Details
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Series
HB2
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging
Tube
Subcategory
IGBTs
Power Dissipation
167
Input Type
Standard
Power - Max
167 W
Product Type
IGBT Transistors
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Continuous Collector Current
50
IGBT Type
Trench Field Stop
Gate Charge
90 nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Td (on/off) @ 25°C
18.4ns/71ns
Switching Energy
270μJ (on), 310μJ (off)
Reverse Recovery Time (trr)
115 ns
Product Category
IGBT Transistors
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Produktkategorie:
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Beschreibung: IGBT 600V 60A 258W TO220AB
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
Datenblatt
Lagerbestand: 32 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 0.90855
| Menge. | Stückpreis |
|---|---|
| 1+: | $0.90855 |
| 10+: | $0.85712 |
| 100+: | $0.80860 |
| 500+: | $0.76283 |
| 1000+: | $0.71965 |
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