2N5967 - Microchip Technology

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-2N5967
Hersteller Teil #: 2N5967
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: POWER BJT
Verpackung: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Stud Mount
Package / Case  
TO-211MB, TO-63-4, Stud
Surface Mount  
NO
Supplier Device Package  
TO-63
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Mfr  
Microchip Technology
Package  
Bulk
Product Status  
Active
Current-Collector (Ic) (Max)  
40 A
Transistor Polarity  
PNP
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Manufacturer  
Microchip
Brand  
Microchip Technology
Package Style  
POST/STUD MOUNT
Package Body Material  
METAL
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
200 °C
Rohs Code  
No
Transition Frequency-Nom (fT)  
10 MHz
Manufacturer Part Number  
2N5967
Package Shape  
ROUND
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
SOLITRON DEVICES INC
Risk Rank  
5.35
Series  
-
Operating Temperature  
-65°C ~ 200°C (TJ)
Pbfree Code  
No
ECCN Code  
EAR99
Subcategory  
Transistors
Technology  
Si
Terminal Position  
UPPER
Terminal Form  
SOLDER LUG
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
O-MUPM-D3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE
Case Connection  
COLLECTOR
Power - Max  
220 W
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
PNP
Product Type  
BJTs - Bipolar Transistors
Transistor Type  
PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
-
Current - Collector Cutoff (Max)  
-
JEDEC-95 Code  
TO-63
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
100 V
Frequency - Transition  
-
Power Dissipation-Max (Abs)  
125 W
Collector Current-Max (IC)  
30 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
30
Collector-Emitter Voltage-Max  
100 V
VCEsat-Max  
1.2 V
Power Dissipation Ambient-Max  
125 W
Product Category  
Bipolar Transistors - BJT
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: POWER BJT
Verpackung: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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