2N3751 - Microchip Technology

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Kynix Teil #: KY13-2N3751
Hersteller Teil #: 2N3751
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: POWER BJT
Verpackung: TO-111-4, Stud
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
TO-111-4, Stud
Mounting Type  
Stud Mount
Mount  
Stud
Surface Mount  
NO
Number of Pins  
4
Supplier Device Package  
TO-111
Number of Terminals  
4
Transistor Element Material  
SILICON
Mfr  
Microchip Technology
Current-Collector (Ic) (Max)  
5 A
Product Status  
Active
Package  
Bulk
Transistor Polarity  
NPN
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Manufacturer  
Microchip
Brand  
Microchip Technology
RoHS  
Compliant
Package Description  
TO-111/I, 4 PIN
Package Style  
POST/STUD MOUNT
Package Body Material  
METAL
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
175 °C
Rohs Code  
No
Transition Frequency-Nom (fT)  
50 MHz
Manufacturer Part Number  
2N3751
Package Shape  
ROUND
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
SOLITRON DEVICES INC
Risk Rank  
5.5
Part Package Code  
TO-111
Series  
-
Operating Temperature  
-
Packaging  
Bulk
Pbfree Code  
No
ECCN Code  
EAR99
Subcategory  
Transistors
Max Power Dissipation  
30 W
Technology  
Si
Terminal Position  
UPPER
Terminal Form  
SOLDER LUG
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
Pin Count  
4
JESD-30 Code  
O-MUPM-D4
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE
Case Connection  
ISOLATED
Power - Max  
30 W
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
NPN
Product Type  
BJTs - Bipolar Transistors
Transistor Type  
PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
60 V
Max Collector Current  
5 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
-
Current - Collector Cutoff (Max)  
-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
60 V
Frequency - Transition  
-
Power Dissipation-Max (Abs)  
30 W
Collector Current-Max (IC)  
5 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
100
Collector-Emitter Voltage-Max  
60 V
VCEsat-Max  
0.25 V
Power Dissipation Ambient-Max  
30 W
Product Category  
Bipolar Transistors - BJT
Radiation Hardening  
No
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: POWER BJT
Verpackung: TO-111-4, Stud
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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