STGWA20IH65DF - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STGWA20IH65DF
Hersteller Teil #: STGWA20IH65DF
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Supplier Device Package  
TO-247 Long Leads
Mfr  
STMicroelectronics
Package  
Tube
Product Status  
Active
Current-Collector (Ic) (Max)  
40 A
Test Conditions  
400V, 20A, 22Ohm, 15V
Base Product Number  
STGWA20
Collector-Emitter Saturation Voltage  
1.55
Maximum Gate Emitter Voltage  
- 20 V, + 20 V
Pd - Power Dissipation  
159 W
Maximum Operating Temperature  
+ 175 C
Unit Weight  
0.215171 oz
Minimum Operating Temperature  
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
600
Continuous Collector Current at 25 C  
40 A
Mounting Styles  
Through Hole
Manufacturer  
STMicroelectronics
Brand  
STMicroelectronics
Continuous Collector Current Ic Max  
20 A
RoHS  
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
650 V
Series  
IH
Operating Temperature  
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging  
Tube
Subcategory  
IGBTs
Technology  
Si
Configuration  
Single
Power Dissipation  
159
Input Type  
Standard
Power - Max  
159 W
Product Type  
IGBT Transistors
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
650 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
2.05V @ 15V, 20A
Continuous Collector Current  
40
IGBT Type  
Trench Field Stop
Gate Charge  
56 nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
60 A
Td (on/off) @ 25°C  
-/120ns
Switching Energy  
110μJ (off)
Product Category  
IGBT Transistors
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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