APT80GA90S - Microchip Technology

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Kynix Teil #: KY13-APT80GA90S
Hersteller Teil #: APT80GA90S
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A
Verpackung: TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Supplier Device Package  
D3PAK
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Package  
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)  
145 A
Test Conditions  
600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Base Product Number  
APT80GA90
Collector-Emitter Saturation Voltage  
2.5
Maximum Gate Emitter Voltage  
- 20 V, + 20 V
Pd - Power Dissipation  
625 W
Maximum Operating Temperature  
+ 150 C
Minimum Operating Temperature  
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Continuous Collector Current at 25 C  
145 A
Mounting Styles  
SMD/SMT
Manufacturer  
Microchip
Brand  
Microchip Technology / Atmel
Continuous Collector Current Ic Max  
239 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
900 V
Operating Temperature  
-55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging  
Tube
Subcategory  
IGBTs
Technology  
Si
Configuration  
Single
Power Dissipation  
625
Input Type  
Standard
Power - Max  
625 W
Product Type  
IGBT Transistors
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
900 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
3.1V @ 15V, 47A
Continuous Collector Current  
145
IGBT Type  
PT
Gate Charge  
200 nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
239 A
Td (on/off) @ 25°C  
18ns/149ns
Switching Energy  
1.625mJ (on), 1.389mJ (off)
Product Category  
IGBT Transistors
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A
Verpackung: TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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