IPD65R650CE - Infineon Technologies

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IPD65R650CE
Hersteller Teil #: IPD65R650CE
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: PG-TO-252 MOSFETs ROHS
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
YES
Number of Terminals  
2
Transistor Element Material  
SILICON
Package Description  
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style  
SMALL OUTLINE
Moisture Sensitivity Levels  
3
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min  
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Rohs Code  
Yes
Manufacturer Part Number  
IPD65R650CE
Package Shape  
RECTANGULAR
Manufacturer  
Infineon Technologies AG
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank  
0.93
ECCN Code  
EAR99
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
compliant
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-252
Drain-source On Resistance-Max  
0.65 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
18 A
DS Breakdown Voltage-Min  
650 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
142 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: PG-TO-252 MOSFETs ROHS
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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