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FDD6680 - Fairchild Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDD6680

Hersteller Teil #: FDD6680

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Fairchild Semiconductor

Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDD6680 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Supplier Device Package

TO-252, (D-Pak)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Ta), 46A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Mfr

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

3.3W (Ta), 56W (Tc)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Operating Temperature

-55°C ~ 175°C (TJ)

Series

PowerTrench®

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 12A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1230 pF @ 15 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18 nC @ 5 V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Vgs (Max)

±20V

FET Feature

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FDD6680 Preis
FDD6680 Verteilers
FDD6680 Hersteller
FDD6680 Technische Daten
FDD6680 PDF
FDD6680 Datenblätter
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Fairchild Semiconductor

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

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Datenblatt

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