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FDD6782A - Fairchild Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDD6782A

Hersteller Teil #: FDD6782A

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Fairchild Semiconductor

Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 25V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDD6782A Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Supplier Device Package

TO-252, (D-Pak)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Mfr

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

3.7W (Ta), 31W (Tc)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Operating Temperature

-55°C ~ 175°C (TJ)

Series

PowerTrench®

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 14.9A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1065 pF @ 13 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27 nC @ 10 V

Drain to Source Voltage (Vdss)

25 V

Vgs (Max)

±20V

FET Feature

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FDD6782A Preis
FDD6782A Verteilers
FDD6782A Hersteller
FDD6782A Technische Daten
FDD6782A PDF
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 25V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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