MRF421 - MA-COM

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Kynix Teil #: KY0-MRF421
Hersteller Teil #: MRF421
Produktkategorie: Discrete Semiconductor Products
Hersteller: MA-COM
Beschreibung:
Verpackung: 211-11
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
211-11
Mounting Type  
Chassis Mount
Surface Mount  
NO
Supplier Device Package  
211-11, Style 2
Number of Terminals  
4
Transistor Element Material  
SILICON
Emitter-Base Voltage  
3 V
Transistor Polarity  
NPN
Collector-Base Voltage  
45 V
Category  
Bipolar RF
Collector Current (DC)  
20 A
Number of Elements  
1
Rad Hardened  
No
Collector-Emitter Voltage  
20 V
Mounting  
Screw
Emitter- Base Voltage VEBO  
3 VDC
Pd - Power Dissipation  
290 W
DC Collector/Base Gain hfe Min  
10
Unit Weight  
1.784333 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
20
Mounting Styles  
Screw Mount
Manufacturer  
MACOM
Brand  
MACOM
RoHS  
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
20 V
Package  
Tray
Current-Collector (Ic) (Max)  
20A
Mfr  
MACOM Technology Solutions
Product Status  
Active
Package Description  
FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Package Style  
FLANGE MOUNT
Package Body Material  
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Manufacturer Package Code  
CASE 211-11
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
200 °C
Rohs Code  
Yes
Manufacturer Part Number  
MRF421
Package Shape  
ROUND
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS INC
Risk Rank  
1.34
Operating Temperature  
-
Series  
-
Pbfree Code  
Yes
Subcategory  
Transistors
Technology  
Si
Terminal Position  
RADIAL
Terminal Form  
FLAT
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
compliant
Pin Count  
4
JESD-30 Code  
O-CRFM-F4
Qualification Status  
Not Qualified
Operating Frequency  
30 MHz
Configuration  
Single
Power Dissipation  
290 W
Output Power  
100 W
Power - Max  
100W
Transistor Application  
AMPLIFIER
Polarity/Channel Type  
NPN
Product Type  
RF Bipolar Transistors
Transistor Type  
Bipolar Power
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
10 @ 5A, 5V
Gain  
12dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
20V
Frequency - Transition  
-
Power Dissipation-Max (Abs)  
290 W
Collector Current-Max (IC)  
20 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
10
Continuous Collector Current  
20 A
Noise Figure (dB Typ @ f)  
-
Product Category  
RF Bipolar Transistors
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Häufig gestellte Fragen

What is the NPN Silicon RF Power Transistor?

RF Line

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung:
Verpackung: 211-11
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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