FDD6776A - Fairchild Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDD6776A
Hersteller Teil #: FDD6776A
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 17.7A I(D), 25V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package  
TO-252, (D-Pak)
Package  
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
17.7A (Ta), 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
4.5V, 10V
Mfr  
Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)  
3.7W (Ta), 39W (Tc)
Product Status  
Obsolete
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
3V @ 250µA
Operating Temperature  
-55°C ~ 175°C (TJ)
Series  
PowerTrench®
Technology  
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
7.5mOhm @ 17.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1490 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
25 V
Vgs (Max)  
±20V
FET Feature  
-
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 17.7A I(D), 25V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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