NTE253 - NTE Electronics, Inc.

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY0-NTE253
Hersteller Teil #: NTE253
Produktkategorie: Discrete Semiconductor Products
Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Beschreibung: Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Verpackung: TO-225AA, TO-126-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-225AA, TO-126-3
Surface Mount  
NO
Supplier Device Package  
TO-126
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Manufacturer Part Number  
NTE253
Manufacturer  
NTE Electronics
Emitter-Base Voltage  
5(V)
Operating Temperature Classification  
Military
Package Type  
TO-126
Collector-Base Voltage  
80(V)
Operating Temp Range  
-65C to 150C
Collector Current (DC)  
4(A)
Number of Elements  
1
Rad Hardened  
No
Maximum Collector Cut-off Current  
500
Collector-Emitter Voltage  
80(V)
DC Current Gain  
100
Mounting  
Through Hole
Package  
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)  
4 A
Mfr  
NTE Electronics, Inc
Product Status  
Active
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-PSFM-W3
Package Style  
FLANGE MOUNT
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Rohs Code  
Yes
Package Shape  
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank  
1.72
Operating Temperature  
-65°C ~ 150°C (TJ)
Series  
-
ECCN Code  
EAR99
Subcategory  
Other Transistors
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
WIRE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSFM-W3
Qualification Status  
Not Qualified
Polarity  
NPN
Configuration  
Single
Power Dissipation  
40(W)
Power - Max  
40 W
Transistor Application  
AMPLIFIER
Polarity/Channel Type  
NPN
Transistor Type  
NPN - Darlington
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max)  
100µA
JEDEC-95 Code  
TO-126
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
80 V
Frequency - Transition  
-
Power Dissipation-Max (Abs)  
40 W
Collector Current-Max (IC)  
4 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
100
Collector-Emitter Voltage-Max  
80 V
Power Dissipation Ambient-Max  
40 W
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Verpackung: TO-225AA, TO-126-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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