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BSC028N03MSCG - Infineon

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Kynix Teil #: KY13-BSC028N03MSCG
Hersteller Teil #: BSC028N03MSCG
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Infineon
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet BSC028N03MSCG Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
YES
Number of Terminals  
8
Transistor Element Material  
SILICON
Package Description  
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Package Style  
SMALL OUTLINE
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max  
150 °C
Manufacturer Part Number  
BSC028N03MSCG
Package Shape  
RECTANGULAR
Manufacturer  
Infineon Technologies AG
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Ihs Manufacturer  
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank  
5.81
Drain Current-Max (ID)  
21 A
JESD-609 Code  
e3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
MATTE TIN
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
FLAT
Reach Compliance Code  
unknown
Pin Count  
8
JESD-30 Code  
R-PDSO-F8
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max  
0.0036 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
400 A
DS Breakdown Voltage-Min  
30 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
75 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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    Schritt4 Verpackungskartons
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