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NTB60N06T4 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-NTB60N06T4

Hersteller Teil #: NTB60N06T4

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: 60A, 60V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-04, D2PAK-3

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

NTB60N06T4 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Surface Mount

YES

Number of Pins

Number of Terminals

Transistor Element Material

SILICON

Voltage Rating (DC)

60 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

94.5 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

SMALL OUTLINE

Moisture Sensitivity Levels

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 418B-04

Reflow Temperature-Max (s)

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

Manufacturer Part Number

NTB60N06T4

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ON Semiconductor

Number of Elements

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.2

Drain Current-Max (ID)

60 A

Packaging

Bulk

JESD-609 Code

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Tin/Lead (Sn/Pb)

Max Operating Temperature

175 °C

Min Operating Temperature

-55 °C

Subcategory

FET General Purpose Power

Terminal Position

SINGLE

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

240

Reach Compliance Code

not_compliant

Current Rating

60 A

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Qualification Status

Not Qualified

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

150 W

Case Connection

DRAIN

Transistor Application

SWITCHING

Rise Time

180.7 ns

Polarity/Channel Type

N-CHANNEL

Continuous Drain Current (ID)

60 A

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

60 A

Drain-source On Resistance-Max

0.014 Ω

Drain to Source Breakdown Voltage

60 V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

180 A

DS Breakdown Voltage-Min

60 V

Avalanche Energy Rating (Eas)

454 mJ

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Power Dissipation-Max (Abs)

150 W

Drain to Source Resistance

14 mΩ

Lead Free

Contains Lead

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

NTB60N06T4 Preis
NTB60N06T4 Verteilers
NTB60N06T4 Hersteller
NTB60N06T4 Technische Daten
NTB60N06T4 PDF
NTB60N06T4 Datenblätter
NTB60N06T4 Bild
NTB60N06T4 Foto
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Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: 60A, 60V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-04, D2PAK-3

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 20000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

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