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2N3706 - Central Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY0-2N3706

Hersteller Teil #: 2N3706

Produktkategorie: Discrete Semiconductor Products

Hersteller: Central Semiconductor

Beschreibung: Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

2N3706 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Surface Mount

Number of Terminals

Transistor Element Material

SILICON

hFEMin

RoHS

Compliant

Package Description

TO-92, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

2N3706

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

Part Life Cycle Code

Active

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.28

Part Package Code

TO-92

Packaging

Bulk

JESD-609 Code

Pbfree Code

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Tin/Lead (Sn/Pb)

Max Operating Temperature

150 °C

Min Operating Temperature

-65 °C

HTS Code

8541.21.00.95

Subcategory

Other Transistors

Max Power Dissipation

625 mW

Terminal Position

BOTTOM

Terminal Form

THROUGH-HOLE

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Reach Compliance Code

unknown

Pin Count

JESD-30 Code

O-PBCY-T3

Qualification Status

Not Qualified

Polarity

NPN

Configuration

SINGLE

Element Configuration

Single

Transistor Application

SWITCHING

Gain Bandwidth Product

100 MHz

Polarity/Channel Type

NPN

Collector Emitter Voltage (VCEO)

20 V

Max Collector Current

800 mA

JEDEC-95 Code

TO-92

Collector Base Voltage (VCBO)

40 V

Power Dissipation-Max (Abs)

0.36 W

Emitter Base Voltage (VEBO)

-5 V

Collector Current-Max (IC)

0.8 A

DC Current Gain-Min (hFE)

Collector-Emitter Voltage-Max

20 V

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

2N3706 Preis
2N3706 Verteilers
2N3706 Hersteller
2N3706 Technische Daten
2N3706 PDF
2N3706 Datenblätter
2N3706 Bild
2N3706 Foto
2N3706 Teil
2N3706 Lagerbestand
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What is a NPN epitaxial silicon transistor?

Silicon Planar NPN Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial transistor is intended for use in switching and linear applications. The device is packaged in a SOT223 package, which is intended for medium power surface mount applications.

What is a planar transistor?

A transistor made using an etching and diffusion technique in which the junction is never exposed during processing and the junctions reach the surface in a single plane; it has a very low leakage current and a relatively high gain.

What are epitaxial diodes?

IGBT is an abbreviation for Insulated Gate Bipolar Transistor. Technologies. The acronym FRED (Fast Recovery Epitaxial Diodes) refers to a class of ultrafast diodes that have gained popularity in recent years.

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

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1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
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