STB20NM60 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB20NM60
Hersteller Teil #: STB20NM60
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: 20A, 600V, 0.29ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
Production (Last Updated: 2 years ago)
Mount  
Surface Mount
Number of Pins  
3
RoHS  
Compliant
Turn Off Delay Time  
42 ns
Max Operating Temperature  
150 °C
Min Operating Temperature  
-65 °C
Max Power Dissipation  
192 W
Turn On Delay Time  
25 ns
Rise Time  
20 ns
Continuous Drain Current (ID)  
20 A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30 V
Input Capacitance  
1.5 nF
Drain to Source Resistance  
290 mΩ
Length  
10.4 mm
Height  
4.6 mm
Width  
9.35 mm
Radiation Hardening  
No
Suche nach Teilenummer:STB20NM60 Enthaltenes Wort ist 0
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
Verwandte Teile in STB20NM60
STB20NM60 Verwandtes Stichwort.
  • STB20NM60 Preis
  • STB20NM60 Verteilers
  • STB20NM60 Hersteller
  • STB20NM60 Technische Daten
  • STB20NM60 PDF
  • STB20NM60 Datenblätter
  • STB20NM60 Bild
  • STB20NM60 Foto
  • STB20NM60 Teil
  • STB20NM60 Lagerbestand
  • STB20NM60 Inventar
  • STB20NM60 Angebotsanfrage
  • Kaufen STB20NM60
  • STB20NM60 Anfrage
  • STB20NM60 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

How many avalanche tested are there?

100%

What is a br> br> /p>p>h2>strong>Application

Low gate input resistance

What is the name of the application that the MDmeshTM uses?

Switching applications

What characteristics does the MDmeshTM have?

outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics

What technology does the MDmeshTM adopt?

proprietary strip technique

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: 20A, 600V, 0.29ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 22800 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren