STB20NM60 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB20NM60
Hersteller Teil #: STB20NM60
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: 20A, 600V, 0.29ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Number of Pins  
3
RoHS  
Compliant
Turn Off Delay Time  
42 ns
Part Status  
Production (Last Updated: 2 years ago)
Max Operating Temperature  
150 °C
Min Operating Temperature  
-65 °C
Max Power Dissipation  
192 W
Turn On Delay Time  
25 ns
Rise Time  
20 ns
Continuous Drain Current (ID)  
20 A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30 V
Input Capacitance  
1.5 nF
Drain to Source Resistance  
290 mΩ
Width  
9.35 mm
Height  
4.6 mm
Length  
10.4 mm
Radiation Hardening  
No
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Häufig gestellte Fragen

How many avalanche tested are there?

100%

What is a br> br> /p>p>h2>strong>Application

Low gate input resistance

What is the name of the application that the MDmeshTM uses?

Switching applications

What characteristics does the MDmeshTM have?

outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics

What technology does the MDmeshTM adopt?

proprietary strip technique

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: 20A, 600V, 0.29ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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