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2SK2413 - NEC

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Kynix Teil #: KY13-2SK2413
Hersteller Teil #: 2SK2413
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: NEC
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-10, ISOLATED TO-220, 3 PIN
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet 2SK2413 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
RoHS  
Non-Compliant
Package Description  
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style  
IN-LINE
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
150 °C
Rohs Code  
No
Manufacturer Part Number  
2SK2413
Package Shape  
RECTANGULAR
Manufacturer  
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Ihs Manufacturer  
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank  
5.39
Part Package Code  
SFM
Drain Current-Max (ID)  
10 A
JESD-609 Code  
e0
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
Additional Feature  
AVALANCHE RATED
HTS Code  
8541.29.00.95
Subcategory  
FET General Purpose Power
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSIP-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
ISOLATED
Transistor Application  
SWITCHING
Drain to Source Voltage (Vdss)  
60 V
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Continuous Drain Current (ID)  
10 A
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
10 A
Drain-source On Resistance-Max  
0.095 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
40 A
DS Breakdown Voltage-Min  
60 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
10 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
1.8 W
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-10, ISOLATED TO-220, 3 PIN
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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