FQU2N60CTLTU - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FQU2N60CTLTU
Hersteller Teil #: FQU2N60CTLTU
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung:
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Pins  
3
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
RoHS  
Compliant
Turn Off Delay Time  
24 ns
Package Description  
LEAD FREE, IPAK-3
Package Style  
IN-LINE
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number  
FQU2N60CTLTU
Package Shape  
RECTANGULAR
Manufacturer  
Rochester Electronics LLC
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank  
5.39
Drain Current-Max (ID)  
1.9 A
Max Operating Temperature  
150 °C
Min Operating Temperature  
-55 °C
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
JESD-30 Code  
R-PSIP-T3
Qualification Status  
COMMERCIAL
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
2.5 W
Transistor Application  
SWITCHING
Rise Time  
25 ns
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Continuous Drain Current (ID)  
1.9 A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30 V
Drain-source On Resistance-Max  
4.7 Ω
Drain to Source Breakdown Voltage  
600 V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
7.6 A
DS Breakdown Voltage-Min  
600 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
120 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Drain to Source Resistance  
4.7 Ω
REACH SVHC  
unknown
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung:
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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