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IRFN450 - Infineon

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Kynix Teil #: KY13-IRFN450
Hersteller Teil #: IRFN450
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Infineon
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet IRFN450 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
YES
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Package Description  
HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN
Package Style  
CHIP CARRIER
Package Body Material  
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
150 °C
Rohs Code  
No
Manufacturer Part Number  
IRFN450
Package Shape  
RECTANGULAR
Manufacturer  
Infineon Technologies AG
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank  
5.11
Drain Current-Max (ID)  
12 A
JESD-609 Code  
e0
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
Additional Feature  
HIGH RELIABILITY
Subcategory  
FET General Purpose Power
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
NO LEAD
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reference Standard  
MIL-19500/592
JESD-30 Code  
R-CBCC-N3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
10.4 A
Drain-source On Resistance-Max  
0.515 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
48 A
DS Breakdown Voltage-Min  
500 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
750 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
100 W
REACH SVHC  
unknown
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
    Lagerbestand: 0 Kann sofort geliefert werden
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