FDB5680 - Fairchild Semiconductor
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Kynix Teil #: KY13-FDB5680
Hersteller Teil #: FDB5680
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
Verpackung: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
FDB5680 Datenblatt
FDB5680 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
TO-263AB
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Mfr
Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)
65W (Tc)
Product Status
Active
Operating Temperature
-65°C ~ 175°C (TJ)
Series
PowerTrench®
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
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Datenblatt
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