AUIRL3705ZL - Infineon

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-AUIRL3705ZL

Hersteller Teil #: AUIRL3705ZL

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Infineon

Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

Verpackung: TO-262-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

AUIRL3705ZL Datenblatt

ECAD-Modell:

Description

Specifically designed for Automotive applications, this Cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.

Features

● Advanced Planar Technology
● Low On-Resistance
● Logic-Level Gate Drive
● Dynamic dV/dT Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free, RoHS Compliant
● Automotive Qualified *

No Data

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What type of design is HEXFET® Power MOSFETs designed for Automotive applications?

Cellular design

What benefits are HEXFET power MOSFETs well known for?

fast switching speed and ruggedized device design

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

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Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

Verpackung: TO-262-3

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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

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Stückpreis: 2.25806

Menge.	Stückpreis
1+:	$2.25806
10+:	$2.13024
100+:	$2.00966
500+:	$1.89591
1000+:	$1.78859

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