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MTP3N60E - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY47-MTP3N60E
Hersteller Teil #: MTP3N60E
Produktkategorie: Unclassified
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: 3A, 600V, 2.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet MTP3N60E Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style  
FLANGE MOUNT
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max  
150 °C
Manufacturer Part Number  
MTP3N60E
Package Shape  
RECTANGULAR
Manufacturer  
Motorola Mobility LLC
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Transferred
Ihs Manufacturer  
MOTOROLA INC
Risk Rank  
5.3
Drain Current-Max (ID)  
3 A
JESD-609 Code  
e0
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
Additional Feature  
AVALANCHE RATED
Subcategory  
FET General Purpose Power
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
3 A
Drain-source On Resistance-Max  
2.2 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
14 A
DS Breakdown Voltage-Min  
600 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
290 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
75 W
Power Dissipation Ambient-Max  
75 W
REACH SVHC  
unknown
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: 3A, 600V, 2.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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