2N3019 - NTE Electronics, Inc.

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Kynix Teil #: KY0-2N3019
Hersteller Teil #: 2N3019
Produktkategorie: Discrete Semiconductor Products
Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Beschreibung: T-NPN SI- AF PREAMP DR RoHS Compliant: Yes
Verpackung: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Supplier Device Package  
TO-39
Manufacturer Part Number  
2N3019
Manufacturer  
NTE Electronics
Emitter-Base Voltage  
7(V)
Operating Temperature Classification  
Military
Package Type  
TO-5
Transistor Polarity  
NPN
Collector-Base Voltage  
140(V)
Category  
Bipolar Small Signal
Operating Temp Range  
-65C to 200C
Collector Current (DC)  
1(A)
Number of Elements  
1
Rad Hardened  
No
DC Current Gain  
50
Mounting  
Through Hole
Package  
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)  
1 A
Mfr  
NTE Electronics, Inc
Product Status  
Active
Operating Temperature  
175°C (TJ)
Series  
-
Pin Count  
3
Configuration  
Single
Power Dissipation  
0.8(W)
Output Power  
Not Required(W)
Power - Max  
800 mW
Transistor Type  
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max)  
10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
80 V
Frequency - Transition  
100MHz
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
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Beschreibung: T-NPN SI- AF PREAMP DR RoHS Compliant: Yes
Verpackung: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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