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FDS3570 - Fairchild Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDS3570

Hersteller Teil #: FDS3570

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Fairchild Semiconductor

Beschreibung: Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDS3570 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Supplier Device Package

8-SOIC

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Mfr

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)

Product Status

Obsolete

Operating Temperature

-55°C ~ 150°C (TJ)

Series

PowerTrench®

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2750 pF @ 25 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

76 nC @ 10 V

Drain to Source Voltage (Vdss)

80 V

Vgs (Max)

±20V

FET Feature

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FDS3570 Preis
FDS3570 Verteilers
FDS3570 Hersteller
FDS3570 Technische Daten
FDS3570 PDF
FDS3570 Datenblätter
FDS3570 Bild
FDS3570 Foto
FDS3570 Teil
FDS3570 Lagerbestand
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 89999 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

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100+:	$0.00000
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