NTD4965N-1G - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-NTD4965N-1G
Hersteller Teil #: NTD4965N-1G
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: Single N-Channel Power MOSFET 30V, 68A, 4.7mΩ, DPAK INSERTION MOUNT, 75-TUBE
Verpackung: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
1 Week
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Surface Mount  
NO
Supplier Device Package  
I-PAK
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Package  
Tube
Base Product Number  
NTD49
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
13A (Ta), 68A (Tc)
Mfr  
onsemi
Product Status  
Obsolete
Package Description  
IPAK-3
Package Style  
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels  
1
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code  
369
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
175 °C
Manufacturer Part Number  
NTD4965N-1G
Package Shape  
RECTANGULAR
Manufacturer  
ON Semiconductor
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
End Of Life
Ihs Manufacturer  
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank  
5.38
Drain Current-Max (ID)  
13 A
Series  
-
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
Yes
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Subcategory  
FET General Purpose Power
Technology  
MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
not_compliant
Pin Count  
4
JESD-30 Code  
R-PSIP-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Brand Name  
ON Semiconductor
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
4.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
17.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
30 V
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
68 A
Drain-source On Resistance-Max  
0.01 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
248 A
DS Breakdown Voltage-Min  
30 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
60 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
38.5 W
FET Feature  
-
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Single N-Channel Power MOSFET 30V, 68A, 4.7mΩ, DPAK INSERTION MOUNT, 75-TUBE
Verpackung: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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