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IRF7471 - International Rectifier

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF7471

Hersteller Teil #: IRF7471

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: International Rectifier

Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRF7471 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Surface Mount

YES

Number of Pins

Number of Terminals

Transistor Element Material

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

SMALL OUTLINE

Moisture Sensitivity Levels

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

Manufacturer Part Number

IRF7471

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.83

Part Package Code

SOIC

Drain Current-Max (ID)

10 A

JESD-609 Code

Pbfree Code

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS Code

8541.29.00.75

Subcategory

FET General Purpose Power

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

245

JESD-30 Code

R-PDSO-G8

Qualification Status

Not Qualified

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Polarity/Channel Type

N-CHANNEL

JEDEC-95 Code

MS-012AA

Drain Current-Max (Abs) (ID)

10 A

Drain-source On Resistance-Max

0.013 Ω

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

83 A

DS Breakdown Voltage-Min

40 V

Avalanche Energy Rating (Eas)

300 mJ

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Power Dissipation-Max (Abs)

2.5 W

REACH SVHC

compliant

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

IRF7471 Preis
IRF7471 Verteilers
IRF7471 Hersteller
IRF7471 Technische Daten
IRF7471 PDF
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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