GRP-B-DATA-JAN1N5416 - Microsemi
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Kynix Teil #: KY13-GRP-B-DATA-JAN1N5416
Hersteller Teil #: GRP-B-DATA-JAN1N5416
Produktkategorie: Diodes - RF
Hersteller: Microsemi
Beschreibung: Rectifier Diode Switching 100V 3A 150ns 2-Pin Case E Bag
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
GRP-B-DATA-JAN1N5416 Datenblatt
GRP-B-DATA-JAN1N5416 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
ECCN (US)
EAR99
Maximum DC Reverse Voltage (V)
110
Peak Reverse Repetitive Voltage (V)
100
Maximum Continuous Forward Current (A)
3@Ta=55C
Peak Non-Repetitive Surge Current (A)
80
Peak Forward Voltage (V)
1.5@9A
Peak Reverse Current (uA)
1
Peak Reverse Recovery Time (ns)
150
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Supplier Temperature Grade
Military
Standard Package Name
Case E
Supplier Package
Case E
Mounting
Through Hole
Package Length
4.7(Max)
PCB changed
2
Lead Shape
Through Hole
Packaging
Bag
Part Status
Active
Type
Switching Diode
Pin Count
2
Configuration
Single
Diameter
3.42(Max)
RoHS Status
RoHS non-compliant
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|---|
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Paket
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