70V658S10BF - Integrated Device Technology (IDT)

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Kynix Teil #: KY20-70V658S10BF
Hersteller Teil #: 70V658S10BF
Produktkategorie: Memory
Hersteller: Integrated Device Technology (IDT)
Beschreibung: SRAM Chip Async Dual 3.3V 2.25M-Bit 64K x 36 10ns 208-Pin CABGA
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
7 Weeks
Mount  
Surface Mount
Number of Pins  
208
Memory Types  
RAM, SDR, SRAM
Current - Supply (Nom)  
500mA
Published  
2009
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
no
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
3 (168 Hours)
Number of Terminations  
208
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn63Pb37)
Max Operating Temperature  
70°C
Min Operating Temperature  
0°C
Voltage - Supply  
3.3V
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
BALL
Peak Reflow Temperature (Cel)  
225
Number of Functions  
1
Terminal Pitch  
0.8mm
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
20
Temperature Grade  
COMMERCIAL
Interface  
Parallel
Memory Size  
256kB
Number of Ports  
2
Access Time  
10 ns
Organization  
64KX36
Output Characteristics  
3-STATE
Address Bus Width  
32b
Density  
2.3 Mb
Standby Current-Max  
0.015A
I/O Type  
COMMON
Sync/Async  
Asynchronous
Word Size  
36b
Voltage - Supply (Max)  
3.45V
Voltage - Supply (Min)  
3.15V
Length  
15mm
Width  
15mm
Thickness  
1.4mm
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
RoHS Compliant
Lead Free  
Contains Lead
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: SRAM Chip Async Dual 3.3V 2.25M-Bit 64K x 36 10ns 208-Pin CABGA
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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