2N3421 - Central Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-2N3421
Hersteller Teil #: 2N3421
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Central Semiconductor
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN Power SW
Verpackung: TO-39
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
8 Weeks
Mount  
Through Hole
Package / Case  
TO-39
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
80V
Number of Elements  
1
Operating Temperature (Max.)  
200°C
Operating Temperature (Min.)  
-65°C
hFEMin  
40
Packaging  
Bulk
Published  
2012
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
no
Part Status  
Active
Number of Terminations  
3
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
WIRE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
O-MBCY-W3
Qualification Status  
Not Qualified
Polarity  
NPN
Element Configuration  
Single
Transistor Application  
SWITCHING
Gain Bandwidth Product  
40MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
80V
Max Collector Current  
500nA
Transition Frequency  
40MHz
Frequency - Transition  
40MHz
Collector Base Voltage (VCBO)  
125V
Power Dissipation-Max (Abs)  
1W
Emitter Base Voltage (VEBO)  
6V
DC Current Gain-Min (hFE)  
15
Turn Off Time-Max (toff)  
1200ns
Turn On Time-Max (ton)  
300ns
RoHS Status  
RoHS Compliant
Suche nach Teilenummer:2N3421 Enthaltenes Wort ist 0
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
Verwandte Teile in 2N3421
2N3421 Verwandtes Stichwort.
  • 2N3421 Preis
  • 2N3421 Verteilers
  • 2N3421 Hersteller
  • 2N3421 Technische Daten
  • 2N3421 PDF
  • 2N3421 Datenblätter
  • 2N3421 Bild
  • 2N3421 Foto
  • 2N3421 Teil
  • 2N3421 Lagerbestand
  • 2N3421 Inventar
  • 2N3421 Angebotsanfrage
  • Kaufen 2N3421
  • 2N3421 Anfrage
  • 2N3421 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN Power SW
Verpackung: TO-39
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 0 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren