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BS170 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-BS170

Hersteller Teil #: BS170

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170.....MOSFET Transistor, N Channel, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

Verpackung: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

BS170 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

11 Weeks

Contact Plating

Copper, Silver, Tin

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Number of Pins

Supplier Device Package

TO-92-3

Weight

4.535924g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

500mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

830mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Bulk

Published

2005

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Resistance

5Ohm

Max Operating Temperature

150°C

Min Operating Temperature

-55°C

Voltage - Rated DC

60V

Current Rating

500mA

Base Part Number

BS170

Voltage

60V

Element Configuration

Single

Current

Power Dissipation

830mW

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Vgs (Max)

±20V

Continuous Drain Current (ID)

500mA

Threshold Voltage

2.1V

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain to Source Breakdown Voltage

60V

Input Capacitance

24pF

Drain to Source Resistance

5Ohm

Rds On Max

5 Ω

Nominal Vgs

2.1 V

Height

5.33mm

Length

5.2mm

Width

4.19mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
BS170	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170.....MOSFET Transistor, N Channel, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
BS270	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	MOSFET Transistor, N Channel, 400 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
2N7000	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	ON SEMICONDUCTOR - 2N7000 - MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

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What is a BS170?

BS170 is a well-known N channel MOSFET manufactured in the TO-92 package. produced using Fairchild's proprietary high-density DMOS cell technology. This ultra-high-density process is designed to minimize resistance in the state while providing robust, reliable, and fast switching performance.

What’s the difference between BS170 and 2N7000?

The 2N7000 can switch 200 mA. The BS170 can switch 500 mA, with a maximum on-resistance of 5 Ω at 10 V Vgs. The 2N7002 is a similar part with the same electrical characteristics as the 2N7000 but different package.

What is P channel MOSFET?

P-Channel MOSFET is a classification of Metal Oxide Semiconductor Device. This consists of the n-substrate in the middle with light doping concentration. These are the three terminals devices. It possesses uni-polar characteristics because its operation is dependent on the majority of the charge carriers.

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170.....MOSFET Transistor, N Channel, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

Verpackung: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 2006 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.61668

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.61668
10+:	$0.58177
100+:	$0.54884
500+:	$0.51777
1000+:	$0.48847

Zwischensumme: $0.61668

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