IRF5305STRLPBF - Infineon Technologies

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF5305STRLPBF

Hersteller Teil #: IRF5305STRLPBF

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Infineon Technologies

Beschreibung: Single P-Channel 55 V 60 mOhm 42 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRF5305STRLPBF Datenblatt

ECAD-Modell:

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

l Advanced Process Technology

l Surface Mount (IRF5305S)
l Low-profile through-hole (IRF5305L)
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l P-Channel
l Fully Avalanche Rated

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What do Fifth Generation HEXFETs use to achieve low on-resistance per silicon area?

advanced processing techniques

What ruggedized device design is well known for?

HEXFET Power MOSFETs

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

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Beschreibung: Single P-Channel 55 V 60 mOhm 42 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Datenblatt

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Stückpreis: 1.45000

Menge.	Stückpreis
1+:	$1.45000
10+:	$1.36792
100+:	$1.29049
500+:	$1.21745
1000+:	$1.14854

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