FDB8444 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDB8444
Hersteller Teil #: FDB8444
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
8 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight  
1.31247g
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
70A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
167W Tc
Turn Off Delay Time  
48 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
5.5MOhm
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Terminal Form  
GULL WING
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
167W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
12 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
5.5m Ω @ 70A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
8035pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
128nC @ 10V
Rise Time  
78ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
15 ns
Continuous Drain Current (ID)  
70A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain to Source Breakdown Voltage  
40V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
307 mJ
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FDB8444 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDB8444 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
IRF4104SPBF TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IPB80N04S306ATMA1 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263
IPB80N04S4L04ATMA1 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263
STB170NF04 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Verwandte Teile in FDB8444
FDB8444 Verwandtes Stichwort.
  • FDB8444 Preis
  • FDB8444 Verteilers
  • FDB8444 Hersteller
  • FDB8444 Technische Daten
  • FDB8444 PDF
  • FDB8444 Datenblätter
  • FDB8444 Bild
  • FDB8444 Foto
  • FDB8444 Teil
  • FDB8444 Lagerbestand
  • FDB8444 Inventar
  • FDB8444 Angebotsanfrage
  • Kaufen FDB8444
  • FDB8444 Anfrage
  • FDB8444 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 100000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 2.68494
Menge. Stückpreis
1+: $2.68494
10+: $2.53296
100+: $2.38958
500+: $2.25432
1000+: $2.12672
Zwischensumme: $2.68494

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12008PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 1.2KV 27.9A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12008A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 1.2KV 24.8A TO220AC
Mehr erfahren