STB8NM60T4 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STB8NM60T4
Hersteller Teil #: STB8NM60T4
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
17 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Turn Off Delay Time  
23 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
100W Tc
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
MDmesh™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
1Ohm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Voltage - Rated DC  
650V
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Current Rating  
5A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STB8N
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
100W
Turn On Delay Time  
14 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
1 Ω @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
18nC @ 10V
Rise Time  
10ns
Vgs (Max)  
±30V
Fall Time (Typ)  
10 ns
Continuous Drain Current (ID)  
8A
Threshold Voltage  
4V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
8A
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
200 mJ
Nominal Vgs  
4 V
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB8NM60T4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
STB9NK60ZT4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 2000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 3.42609
Menge. Stückpreis
1+: $3.42609
10+: $3.23216
100+: $3.04921
500+: $2.87661
1000+: $2.71378
Zwischensumme: $3.42609

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